Vishay prezanton diodat e reja të gjeneratës së tretë 1200 V SiC Schottky për të përmirësuar efikasitetin e energjisë dhe besueshmërinë e modeleve të furnizimit me energji elektrike.

Pajisja miraton dizajnin e strukturës MPS, rrymë nominale 5 A~ 40 A, rënie të ulët të tensionit përpara, ngarkesë të ulët të kondensatorit dhe rrymë të ulët rrjedhjeje të kundërt

Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) njoftoi sot nxjerrjen në treg të 16 diodave Schottky të reja të gjeneratës së tretë të karbitit të silikonit 1200 V (SiC). Gjysmëpërçuesit Vishay kanë një dizajn hibrid PIN Schottky (MPS) me mbrojtje të lartë të rrymës së lartë, rënie të ulët të tensionit përpara, ngarkesë të ulët kapacitiv dhe rrymë të ulët rrjedhjeje të kundërt, duke ndihmuar në përmirësimin e efikasitetit të energjisë dhe besueshmërisë së modeleve të furnizimit me energji elektrike.

Gjenerata e re e diodave SiC të shpallura sot përfshin 5 pajisje A TO 40 A në paketat shtesë TO-220AC 2L, TO-247AD 2L dhe TO-247AD 3L dhe paketat e montimit në sipërfaqe D2PAK 2L (TO-263AB 2L). Për shkak të strukturës MPS – duke përdorur teknologjinë e rrallimit të pjekjes me lazer – ngarkesa e kondensatorit të diodës është deri në 28 nC dhe rënia e tensionit përpara reduktohet në 1,35 V. Përveç kësaj, rryma tipike e rrjedhjes së kundërt të pajisjes në 25 °C është vetëm 2,5 µA, duke reduktuar kështu humbjet gjatë fikjes dhe duke siguruar efikasitet të lartë të energjisë gjatë periudhave të lehta dhe pa ngarkesë. Ndryshe nga diodat e rikuperimit ultra të shpejtë, pajisjet e gjeneratës së tretë kanë pak ose aspak gjurmë rikuperimi, duke mundësuar përfitime të mëtejshme të efikasitetit.

Aplikacionet tipike për diodat e karbitit të silikonit përfshijnë konvertuesit FBPS dhe LLC për korrigjimin e faktorit të fuqisë AC/DC (PFC) dhe korrigjimin e daljes DC/DC UHF për invertorët fotovoltaikë, sistemet e ruajtjes së energjisë, disqet dhe mjetet industriale, qendrat e të dhënave dhe më shumë. Në këto aplikime të ashpra, pajisja funksionon në temperatura deri në +175°C dhe siguron mbrojtje të rrymës së përparme deri në 260 A. Përveç kësaj, dioda e paketimit D2PAK 2L përdor një material plastifikues të lartë CTI ³ 600 për të siguruar izolim të shkëlqyer kur voltazhi ngrihet.

Pajisja është shumë e besueshme, e përputhshme me RoHS, pa halogjen dhe ka kaluar 2000 orë testime të kundërt me temperaturë të lartë (HTRB) dhe 2000 cikle të temperaturës së ciklit termik.